ZEPマガジン

RTCM（Radio Technical Commission for Maritime Services）は，衛星測位システムの基準局から移動局に配信されるデータの規格

準天頂衛星「みちびき」が提供するCLAS（Centimeter Level Augmentation Service）は，基準局を自前で用意しなくても済む測位方式

OPアンプに同軸ケーブルなどの容量性負荷をつなぐと動作が不安定になる．また，帰還抵抗とOPアンプ自体の入力容量によっても不安定になる．とにかく容量には細心の注意を

OPアンプもディジタルICと同じく，電源電圧いっぱいで動くという理解は間違い．電源電圧いっぱいまで動かないOPアンプは多い

±LSB/2が±0.6mVの12ビットA-Dコンバータと組み合わせる増幅回路に使うOPアンプには±60μVの入力オフセット電圧性能が必要

フィードバックをかけることでOPアンプは所望のゲインで動くが，その周波数特性はオープン・ループ・ゲインを超えられない．ゲインが10倍，$f_T$が10MHzなら実効的な帯域は1MHz

2025年6月25日～7月30日．オリジナルのUSB測定器を動かしながら，トランジスタ回路やOPアンプ回路の動作を体験するセミナを開催

SiCやGaNのFETを安全に高速駆動するためには，誤動作防止のための分離構造，放熱設計に配慮が必要．特にケルビン・ソース端子の適切な扱いは信頼性確保に直結する

$C_{oss}$によりスイッチング時にエネルギが蓄積され，その蓄積エネルギはスイッチ動作時に損失として消費される．容量値の大きい素子を選ぶと，高速スイッチングにおいて不利に働く

SiC MOSFETではボディ・ダイオードの構造上，$Q_{rr}$は1桁から2桁小さく，おおよそ1/100の損失に抑えられる．ハード・スイッチングでも大きな損失を伴わずに高効率を維持できる

Qrrは高周波スイッチング回路の効率と信頼性を左右する重要な因子．SiC MOSFETによってこの損失を抑えられることで，設計の自由度が高まり，電源回路の性能と信頼性が向上する

車載のオンボード・チャージャを構成するPFC回路やLLC共振コンバータなどの高周波駆動が求められるブロックに，SiCやGaNといったワイドバンド・ギャップ半導体が導入されつつある

SiC JFETとSi MOSFETを縦に組み合わせたカスコード構成は，ノーマリ・オン特性を扱いやすくし，ノーマリ・オフのような挙動を可能にする

GaN MOSFETの高速スイッチングを活かすためには寄生インダクタンスを抑えるレイアウトとデッドタイムの管理が重要

SiC（炭化ケイ素）MOSFETは，シリコン（Si）ベースのMOSFETに比べて，同じドリフト層の厚さでも約30?40倍の耐圧が得られる特性をもつ

SiC（炭化ケイ素）は700Vから1200V，さらには1700V以上の高耐圧領域で普及が進んでいる．電気自動車や産業用インバータ向けに開発が進んでいる

現在のGaNは，GaN on Siliconという形で横型のプロセスを採用．電子の流れが基板に対して平行方向に進むため，微細化によるスイッチング速度アップが可能

スーパージャンクションMOSFETは，P柱を利用した電界制御により，ドリフト層の厚みや抵抗を増やすことなく，高耐圧化と低オン抵抗を両立している

パワーMOSFETは縦型プレーナ構造をもち，電流はソース（S）からドレイン（D）へ，シリコン基板の厚み方向に流れる

内蔵基板は2種類．1つはリアルな個別抵抗やキャパシタなどのチップ部品を物理的に埋め込む方式，もう1つは部品機能自体を基板構造の中で再現する方式